Yakınlaştırmak için üzerine gelin
RF ve mikrodalga cihazlar için hem n-tipi hem de yarı yalıtım varyantlarında bulunan 4H-SiC 'de 6 inçlik silisyum karbür gofretler
Henüz değerlendirme yok
Anahtar nitelikler
Diğer nitelikler
Menşe Yeri
Shanghai, China
Marka adı
XINKEHUI
Model Numarası
4H-SiC
Tür
sic wafers
Grade
Z P R
Diameter
150
Thickness
500 /350 UM
Wafer Orientation
0001
MPD
1 cm-2
4H-N Resistivity
0.015~0.025
4H-SI Resistivity
>1E5
Doping
N/SI
Primary Flat
10-10
Primary Flat Length (N type)
47.5 mm
Ambalaj ve teslimat
Satış Birimleri:
Tek ürün
Bir ambalaj boyutu:
12X7X9 cm
Brüt ağırlık:
0.010 kg
Teslimat süresi
| Miktar (Adet) | 1 - 15 | > 15 |
| Tahmini Zaman (gün) | 30 | Müzakere Edilecek |
Kişiselleştirme
?zel logo
Min. Sipariş: 1
?zel ambalaj
Min. Sipariş: 1
Grafik ?zelle?tirme
Min. Sipariş: 1
Daha fazla özelleştirme ayrıntısı için tedarikçiye mesaj at
Tedarikçinin ürün açıklamaları
>= 5 Adet
CN¥2.898,56
Çeşitler
Toplam seçenekler:
Nakliye
Seçilen miktar için gönderim çözümleri şu anda mevcut değilÜyelik avantajları
Hızlı para iadeleriDaha Fazlasını Görüntüle
Bu ürün için korumalar
Bu ürün için korumalar
Güvenli ödemeler![]()
Alibaba.com'da yaptığınız her ödeme sıkı SSL şifreleme ve PCI DSS veri koruma protokolleri ile güvence altına alınır
Para iadesi politikası![]()
Siparişiniz gönderilmezse, eksik ise veya ürün sorunları ile gelirse geri ödeme talep edin
Alibaba.com platformda yerleştirilen ve ödenen tüm siparişlerinizi korur