Açıklama
Low Intrinsic Capacitances, Excellent Switching Characteristics, Extended Safe Operating Area, Unrivalled Gate Charge, 100% Avalanche Tested
Menşe Yeri
Zhejiang, China
Çalışma Sıcaklığı
-55℃~+150℃
Uygulama
high efficient DC to DC converters
Faaliyet Türü
Orijinal üretici, ODM
Medya Mevcut
Veri sayfası, fotoğraf
品名
AKF7N65P 650V 7A N-Channel Power MOSFET
Akım-Collector (Ic) (maks)
7.0A(TC=25℃), 4.7A(TC=100℃)
Gerilim-kollektör verici arıza (Max)
650V
Vce doygunluk (Max) @ Ib, Ic
30V
Akım-toplayıcı kesim (Max)
7A
Çalışma Sıcaklığı
-55°C ~ 150°C
Drenaj için kaynak gerilimi (vdslerin)
650V
Akım-sürekli drenaj (Id) @ 25 °C
7.0A
Rds üzerinde (Max) @ kimlik, Vgs
1.3 Ohm
Vgs (th) (Max) @ kimlik
7.0V
Kapısı şarj (Qg) (Max) @ Vgs
38nC
Giriş kapasite (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 25V
Akım değerlendirme (amper)
7A
Sürücü gerilim (Max üzerinde Rds, Min üzerinde Rds)
2.0V
Vce (on) (Max) @ vgë, Ic
10V
Giriş kapasite (Cies) @ Vce
560pF
Gerilim-arıza (V (BR) GSS)
650V
Akım-drenaj (ids) @ Vds (Vgs = 0)
10-100uA
Gerilim-kesim (VGS kapalı) @ kimlik
30V
Direnç-RDS (On)
1.3 Ohm(Max.)
uygulamalar
fast switching
Transistör tipi
MOSFET transistor, N-Channel, Enhancement Mode
Drain Current(TC=100℃)
4.7A
Single Pulse Avalanche Energy
120mJ
Maximum Power Dissipation(TC=25℃)
50W
Gate-body leakage Current, Forward
100nA
Gate Threshold Voltage
2 V~ 4V
Application 1
UPS Applications
Application 2
DC-DC Converters and AC-DC Power Supply