Menşe Yeri
Guangdong, China
Kollektör-verici voltaj vceo max:
650 v
Toplayıcı-verici doygunluk gerilimi
1.65 v
Maksimum kapı verici voltajı
20 v
25 c'de sürekli toplayıcı akımı
80 a
Minimum çalışma sıcaklığı
-40 c
Maksimum çalışma sıcaklığı
+ 175 c
Ürün kategorisi
Igbt transistörler
Ürün tipi
Igbt transistörler