Açıklama
High power anti-silicon rectifier diode
Çalışma Sıcaklığı
-40°C ~ 150°C
Faaliyet Türü
Orijinal üretici
Diyot tipi
Rectifier diode
Teknolojisi
Rectifier diode
Gerilim-tepe ters (Max)
2000V
Akım-ortalama rektifiye (Io)
1.8
Gerilim-ileri (Vf) (Max) @ eğer
2000V
Çalışma Sıcaklığı
-40~+150
Gerilim-DC ters (Vr) (Max)
2000V
Akım-ortalama rektifiye (Io) (başına diyot)
100A
hız
Küçük sinyal = <200mA (Io), herhangi bir hız
Connecting system
Crimp connection
Description
Rectifier diode