Yarı yalıtım SiC alt tabakalarında 4 inç yüksek saflıkta (Undoped) silikon karbür gofretler (HPSI)

Henüz değerlendirme yok

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.3 yrs

Yakınlaştırmak için üzerine gelin

Anahtar nitelikler

Diğer nitelikler

Menşe Yeri

Shanghai, China

Marka adı

XINKEHUI

Model Numarası

SiC wafer

Tür

SiC gofret

Grade

P R D

Diameter

100.0 mm

Thickness

500 um

Wafer Orientation

0001

MPD

LESS OR EQUAL 1

Electrical Resistivity

MORE OR EQUAL 1E7

Dopant

Undoped

Primary Flat Orientation

11-20

Primary Flat Length

32.5 mm

Secondary Flat Orientation

Silicon face up: 90 deg

Ambalaj ve teslimat

Satış Birimleri:

Tek ürün

Bir ambalaj boyutu:

22X5X16 cm

Brüt ağırlık:

0.010 kg

Daha fazla göster

Teslimat süresi

Miktar (Adet)	1 - 5	> 5
Tahmini Zaman (gün)	30	Müzakere Edilecek

Kişiselleştirme

?zel logo

Min. Sipariş: 1

?zel ambalaj

Min. Sipariş: 1

Grafik ?zelle?tirme

Min. Sipariş: 1

Daha fazla özelleştirme ayrıntısı için tedarikçiye mesaj at

Tedarikçinin ürün açıklamaları

>= 5 Adet

€278,16

Çeşitler

Toplam seçenekler:

Şimdi seç

Nakliye

Seçilen miktar için gönderim çözümleri şu anda mevcut değil

Üyelik avantajları

Hızlı para iadeleriDaha Fazlasını Görüntüle

Bu ürün için korumalar

Güvenli ödemeler

Alibaba.com'da yaptığınız her ödeme sıkı SSL şifreleme ve PCI DSS veri koruma protokolleri ile güvence altına alınır

Para iadesi politikası

Siparişiniz gönderilmezse, eksik ise veya ürün sorunları ile gelirse geri ödeme talep edin