Açıklama
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Paket/kutu
TO-261-4 TO-261AA
Çalışma Sıcaklığı
-55°C ~ 150°C (TJ)
Çapraz referans
IRLL110PBFDKR
Medya Mevcut
Veri sayfası, fotoğraf, EDA/CAD Modelleri, Other
Akım-Collector (Ic) (maks)
same as original
Gerilim-kollektör verici arıza (Max)
original standard
Vce doygunluk (Max) @ Ib, Ic
same as original
Akım-toplayıcı kesim (Max)
original standard
DC akım kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce
same as original
Frekans-geçiş
original standard
Çalışma Sıcaklığı
-55°C ~ 150°C (TJ)
Direnç-baz (R1)
same as original
Direnç-verici baz (R2)
original standard
FET özelliği
same as original
Drenaj için kaynak gerilimi (vdslerin)
100 V
Akım-sürekli drenaj (Id) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Rds üzerinde (Max) @ kimlik, Vgs
540mOhm @ 900mA 5V
Vgs (th) (Max) @ kimlik
2V @ 250uA
Kapısı şarj (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Giriş kapasite (Ciss) (Max) @ Vds
1330pF @ 30V
Akım değerlendirme (amper)
same as original
Gürültü şekil
original standard
Güç-çıkış
2W (Ta)3.1W (Tc)
Gerilim-anma
original standard
Sürücü gerilim (Max üzerinde Rds, Min üzerinde Rds)
same as original
Vgs (Max)
same as original
IGBT tipi
same as original
Vce (on) (Max) @ vgë, Ic
same as original
Giriş kapasite (Cies) @ Vce
original standard
NTC termistör
original standard
Gerilim-arıza (V (BR) GSS)
same as original
Akım-drenaj (ids) @ Vds (Vgs = 0)
original standard
Akım drenaj (Id)-Max
same as original
Gerilim-kesim (VGS kapalı) @ kimlik
original standard
Direnç-RDS (On)
same as original
Gerilim-çıkış
same as original
Gerilim-ofset (Vt)
original standard
Akım-kapısı için anot kaçak (Igao)
same as original
Akım-vadisi (Iv)
original standard
Akım-tepe
same as original
uygulamalar
General Purpose
Transistör tipi
1 N-Channel
Number of Elements per Chip
2
Technology
MOSFET (Metal Oxide)