Yüksek kalite 5.0*10.0 mm2 un-doped a-plane yarı iletken güç cihazı için bağlantısız GaN gofret

Henüz değerlendirme yok

Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrs

Yakınlaştırmak için üzerine gelin

Anahtar nitelikler

Diğer nitelikler

Menşe Yeri

China

Marka adı

GaNova

Model Numarası

JDCD01-001-004

Tür

GaN gofret

Item

GaN-FS-A-U-S GaN-FS-A-N-S GaN-FS-A-SI-S

Dimensions

5 x 10 mm²

Thickness

350 ±25 μm

Conduction Type

N-type N-type Semi-Insulating

TTV

≤ 10 μm

BOW

- 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Dislocation Density

From 1 x 10^5 to 3 x 10^6cm-²

Macro Defect Density

0 cm-²

Useable Area

> 90% (edge exclusion)

Ambalaj ve teslimat

Paketleme Detayları

Karton

Giriş

Shanghai

Tedarik Kapasitesi

100000 Adet / Adet per Month

Daha fazla göster

3 - 14 Adet

$376,00

>= 15 Adet

$368,00

Çeşitler

Toplam seçenekler:

Şimdi seç

Nakliye

Seçilen miktar için gönderim çözümleri şu anda mevcut değil

Üyelik avantajları

1000 USD'nin altındaki siparişlerde hızlı para iadesiŞimdi alın

Bu ürün için korumalar

Güvenli ödemeler

Alibaba.com'da yaptığınız her ödeme sıkı SSL şifreleme ve PCI DSS veri koruma protokolleri ile güvence altına alınır

Para iadesi politikası

Siparişiniz gönderilmezse, eksik ise veya ürün sorunları ile gelirse geri ödeme talep edin