Açıklama
MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO
Paket/kutu
8-SOIC (0.154" 3.90mm Width)
Çalışma Sıcaklığı
-55°C ~ 150°C (TJ)
Çapraz referans
5202-AO4264ETR
Medya Mevcut
Veri sayfası, fotoğraf, EDA/CAD Modelleri, Other
Akım-Collector (Ic) (maks)
same as original
Gerilim-kollektör verici arıza (Max)
original standard
Vce doygunluk (Max) @ Ib, Ic
same as original
Akım-toplayıcı kesim (Max)
original standard
DC akım kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce
same as original
Frekans-geçiş
original standard
Çalışma Sıcaklığı
-55°C ~ 150°C (TJ)
Direnç-baz (R1)
same as original
Direnç-verici baz (R2)
original standard
FET özelliği
same as original
Drenaj için kaynak gerilimi (vdslerin)
60V
Akım-sürekli drenaj (Id) @ 25 °C
13.5A (Ta)
Rds üzerinde (Max) @ kimlik, Vgs
9.8mOhm @ 13.5A 10V
Vgs (th) (Max) @ kimlik
2.4V @ 250uA
Kapısı şarj (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Giriş kapasite (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 30 V
Akım değerlendirme (amper)
same as original
Gürültü şekil
original standard
Gerilim-anma
original standard
Sürücü gerilim (Max üzerinde Rds, Min üzerinde Rds)
same as original
IGBT tipi
same as original
Yapılandırma
Single Quad Drain Triple Source
Vce (on) (Max) @ vgë, Ic
same as original
Giriş kapasite (Cies) @ Vce
original standard
NTC termistör
original standard
Gerilim-arıza (V (BR) GSS)
same as original
Akım-drenaj (ids) @ Vds (Vgs = 0)
original standard
Akım drenaj (Id)-Max
same as original
Gerilim-kesim (VGS kapalı) @ kimlik
original standard
Direnç-RDS (On)
same as original
Gerilim-çıkış
same as original
Gerilim-ofset (Vt)
original standard
Akım-kapısı için anot kaçak (Igao)
same as original
Akım-vadisi (Iv)
original standard
Akım-tepe
same as original
uygulamalar
General Purpose
Transistör tipi
1 N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Maximum Continuous Drain Current (A)
13.5
Number of Elements per Chip
1
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant